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含硅光刻胶

为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2]  。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。***显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2]  。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的树脂等

光刻胶相关信息

赛米莱德——***光刻胶供应商，我们为您带来以下信息。

光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游为基础化工材料行业、精细***行业，中游为光刻胶制备，下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产品质量，下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，进入壁垒较高。

在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下，光刻胶市场将持续扩大。2018年***光刻胶市场规模为85亿美元，2014-2018年复合增速约5%。据IHS，未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看，目前半导体光刻胶占比24.1%，LCD 光刻胶占比26.6%，PCB 光刻胶占比24.5%，其他类光刻胶占比24.8%。

硅片模具加工如何选择光刻胶呢？

注意事项：

①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；

②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题

③负性胶价格成本低，正性胶较贵；

④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；

⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。

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光刻胶的核心参数是什么？

分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的核心技术参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的核心技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。

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