NR9 3000P光刻胶厂家规格尺寸「赛米莱德」

光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。

光刻胶市场

我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但***占比仍不足15%，发展空间巨大。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨，而需求量为10.12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计，得益于我国平面显示和半导体产业的发展，我国光刻胶市场需求，在2022年可能突破27.2万吨。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场，光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

下游发展趋势

光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过***(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年***半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次***工艺的大量应用，193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加

光刻胶

光增感剂

是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。

光致产酸剂

吸收光能生成酸性物质并使***区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。

助剂

根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。

主要技术参数

分辨率（resolution）

是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。