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PR1 1500A1光刻胶价格价格行情「在线咨询」

发布时间:2021-11-15 14:32:51        







PR1-1500A1PR1 1500A1光刻胶价格

正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外,它还具有图形边缘陡直, 去胶容易等独特性能,比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件,并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差,这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸,对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程,胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。30.想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求,进口的有没有比较好的光刻胶啊。


PR1-1000A1

NR9-3000PY 负性光刻胶

负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线(365 nm)***,可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻

和接触式光刻等工具。

显影之后,NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁,这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势:

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

Lift-Off工藝

應用領域:LEDs,OLEDs,displays,MEMS,packaging,biochips。

濕法蝕刻,鍍 干法蝕刻(RIE/Ion Milling/Ion implantation)

附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶

负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线(365

nm)***,可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻



NR9-1000py

问题回馈:

1.我们是LED制造商,麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知,Futurrex

有几款胶很,NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2.请问有没有可以替代goodpr1518,Micropure去胶液和goodpr显影液的产品?

A 美国光刻胶,Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4,和显影液RD6可以解决以上问题。

3.你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品?

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点:比较好的解析度,比较好的线宽控制,

反射比较少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高温的光阻是那一种?

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻),再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度,PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5.厚膜光阻在镀金应用上,用哪一种比较理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的湿膜更加适合,和理想。

6.请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合?

A 可以考虑使用Futurrex

,正型光阻PR1,负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.请问,那位知道,RIE

Mask,用什么光阻比较好?

A 正型光阻用PR1系列,负型光阻使用NR5,两种都可以耐高温180度。

8.一般厚膜制程中,哪一种光阻适合?

A NR9-8000P有很高的深宽比(超过4:1),一般厚膜以及,MEMS产品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗?

A 建议不使用,因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10.我们是OLED,我们有一种制程上需要一层SPACER,那种光阻适合?

A 有一种胶很适合,美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers



光刻胶

按感光树脂的化学结构,光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中,采用不同单体可以形成正、负图案,并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

叠氮醌类化合物,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的双键打开,链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按***波长,光刻胶可分为紫外(300~450 nm)光刻胶、深紫外(160~280 nm)光刻胶、极紫外(EUV,13.5 nm)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。

按应用领域,光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。


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