NR9 3000P光刻胶公司的行业须知「赛米莱德」

负性光刻胶原理

又称光致抗蚀剂，是一种由感光树脂、增感剂（见光谱增料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

原理

光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物，基态与激励态的能量差为3~6eV，相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收，使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时，或者分离或者改变键合对象，发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后，因与物质具有的电子相互作用，能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中，因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

如何选购光刻胶？

光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。

划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在***之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未***的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未***的区域将溶解，而***的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的，因此在IC制造中的应用更为普及，但MEMS系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。

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光刻胶的未来市场

光刻胶市场需求逐年增加，2018年***半导体光刻胶销售额12.97亿美元，而国内光刻胶需求量方面，2011年光刻胶需求量为3.51万吨，到2017年需求量为7.99万吨，年复合增长率达14.69%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于中国大陆光刻胶市场起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。

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光刻胶的作用有什么？

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线***后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被***的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。