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况经理 女士
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发布时间：2021-11-22 12:01:25
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。2016年***半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次***工艺的大量应用，193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加
市场规模
中国半导体产业稳定增长，***半导体产业向中国转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年中国半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于***增长速度（1.1%）。2016年中国半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。近些年来，***半导体厂商在中国大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。
PC6-16000
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 快速地显影
- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm
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