NR9 3000P光刻胶价格信赖推荐 北京赛米莱德公司

NR77-15000P

9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、***数量、附着力、阻抗等。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2+胶=CO+CO2+H2O,等离子去胶Oxygenpla***a ashing,高频电场O2---电离O- + O+,  O+活性基与胶反应CO2，CO， H2O, 光刻检验

?Futurrex

提供***化学技术的多样化解决方案

成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司

公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲

基于多样化的技术

应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷

解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程

客户：从财富100强到以风险***为背景的设备研发及制造公司

使命

目标

提供特殊***和全新工艺来增加客户的产能

策略

提供独特的产品来优化生产制程，以提高设备能效

领的技术提升生产过程中的整体性价比

工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能

增加客户的产能和生产的效率

工艺减化

非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定

在生产过程中，不含***溶剂

支持所有客户的需要，与客户共创成功

发展

Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史

我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的产品。

在晶体管(transistor) ，封装，微机电。显示器，OLEDs，波导(w***eguides) ，VCSELS，

成像，电镀，纳米碳管，微流体，芯片倒装等方面。我们都已经取得一系列的技术突破。

目前Futurrex有数百个技术在美国商标局备案。

Futurrex 产品目录

正性光刻胶

增强粘附性正性光刻胶

负性光刻胶

增强粘附性负性光刻胶

***工艺负性光刻胶

用于lift-off工艺的负性光刻胶

非光刻涂层

平坦化，保护、粘接涂层

氧化硅旋涂(spin-on glas)

掺杂层旋涂

辅助***

边胶清洗液

显影液

去胶液

Futurrex所有光刻产品均无需加增粘剂(HMDS)

光刻胶

按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

叠氮醌类化合物，经光照后,会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按***波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。

按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。