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光刻胶分类

市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；A美国光刻胶，Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。

按照***波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。A我们建议使用FuturrexPR1-500A,它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~4．求助，耐高温的光阻是那一种。不同***波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。

PCB稳定

PCB被誉为'电子产品'，广泛应用于各个电子终端。2016年，***PCB市场规模达542.1亿美元。国外研究机构预测，PCB市场年复合增长率可达3%，到2020年，PCB***市场规模将达到610亿美元；中国在2020年PCB产值有望达到311亿美元，在2015-2020年期间，年复合增长率略高于国际市场，为3.5%。在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对G线、I线的需求，利好G线、I线等生产企业。得益于PCB行业发展刚需，我国PCB光刻胶需求空间巨大。

光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏***技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。

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三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶***外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。LCD是非主动发光器件，其色彩显示必须由本身的背光系统或外部的环境光提供光源，通过驱动器与控制器形成灰阶显示，再利用彩色滤光片产生红、绿、蓝三基色，依据混色原理形成彩色显示画面。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就遥遥无期。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。