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况经理 女士
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发布时间：2022-01-29 09:39:49
光刻工艺重要性二
光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着***波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。
光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。
工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。
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光刻胶编码 HS编码: |
3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释] |
| 中文描述: | 不含银的感光乳液剂 （CIQ码：301:液体） |
| 英文描述: | Non--0--silver light-sensitive emulsion agent |
| 申报要素: | 0.品牌类型；1.出口享惠情况；2.用途；3.包装；4.成分；5.是否含银；6.品牌；7.型号；利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。8.是否有感光作用（以下要素仅上海海关要求）9.GTIN；10.CAS |
| 申报要素举例: | / 1.感光剂；2.用途:感光材料，用于喷墨制版机；3.包装:瓶装；4.成分:重氮树脂94%以上；5.无品牌；6.无型号 |
| 单位: | 千克 |
光刻胶
光增感剂
是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。
光致产酸剂
吸收光能生成酸性物质并使***区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。
助剂
根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。
主要技术参数
分辨率（resolution）
是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。
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