NR9 1500PY光刻胶厂家免费咨询 北京赛米莱德公司

下游发展趋势

光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年***半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次***工艺的大量应用，193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加

光刻工艺主要性一

光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。预计2017和2018年***半导体用光刻胶市场将分别达到15。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。

针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。

此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与***波长、数值孔径和工艺系数相关。

NR9-1000py

问题回馈：

1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知，Futurrex

有几款胶很，NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

A 美国光刻胶，Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品？

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。

6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？

A 可以考虑使用Futurrex

，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．请问，那位知道，RIE

Mask,用什么光阻比较好？

A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？

A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？

A 有一种胶很适合，美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers

美国Futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，

但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：

1  FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟