NR29 25000P光刻胶价格的行业须知「多图」

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过***(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。受***半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计***光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短***波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(<13.5nm)线水平。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。

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5,显影液

在已经***的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是***区、而负胶是非***区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。

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光刻胶稳定性

化学稳定性：在正常储存和操作条件下，在密闭容器中室温稳定。

避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。

不相容的其他材料: 强氧化剂。

光刻胶毒理资料

淡***液体，气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状。液体是可燃的。

毒性数据

皮肤：可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状，类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛发炎。

吸入：吸入时可能***。引起呼吸道刺激。蒸气可能导致困倦和头晕。

摄食：吞食***。

延迟效应：肝和损害，以及动物实验中有报道血液和GU髓有影响。