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光刻胶概况

以下内容由赛米莱德为您提供，今天我们来分享光刻胶的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键***,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。

光刻胶的相关内容

光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨力，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（Tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。

感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在***过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。

在***过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以***后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。***后的光刻胶溶解速度几乎是未***的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在***区间显影，负性胶则相反。负性胶由于***区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

光刻胶的作用

光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂，是以智能

管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和

正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

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光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线***后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被***的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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