NR9 1500P光刻胶公司询价咨询 北京赛米莱德

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来***产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

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芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。四、前烘（SoftBake）完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。烘干：去除衬底表面的水汽，使其彻底干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH, 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。

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(3)其他特性。光刻胶的其他特性包括胶的纯度、胶内的金属含量、胶的可应用范围、胶的储存有效期和胶的燃点。