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RD6光刻胶厂家来电垂询「赛米莱德」

发布时间:2022-08-27 03:24:02        







NR9-3000PYRD6光刻胶厂家

四、前烘(Soft Bake)

完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶 衬底上的附着性。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%,耗时占整个芯片工艺的40%~60%,是半导体制造中***核心的工艺。

在前烘过程中,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。

光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其彻底干燥,增粘处理(涂底) 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,Si-OH, 表面有,亲水性,使用HMDS H2C6Si2NH 涂覆,熏蒸  SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,与光刻胶相亲。彩色滤光片的制作就是在玻璃基板上应用黑色光刻胶制作黑色矩阵,再应用红、绿、蓝光刻胶制作三原色像素。

2,涂胶,在硅片覆盖,旋转,离心力,在硅片表面通过旋转的光刻胶,工艺参数3000-6000rpm   胶膜厚0.5-1um 

3,前烘,通过在较高温度下进行烘焙,使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发,溶剂将至5%左右,同时增强与衬底的粘附性。前烘方法:热平板传导,干燥循环热风提高附着力,红外线辐射。

烘箱前烘条件:90-100度,10-20min,前烘时间与温度应适当,如太长或温度太高,光刻胶层变脆而附着力下降,而前烘不足会影响后面的显影效果。


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